Другие журналы
|
электронный журналМОЛОДЕЖНЫЙ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ВЕСТНИКИздатель Академия инженерных наук им. А.М. Прохорова. Эл No. ФС77-51038. ISSN 2307-0609
Создано в лабораториях IBM – десять революционных полупроводниковых технологий
за десять лет
Пресс-релиз от 03.05.2007
Источник: IBM
Контакты: IBM East Europe/Asia Галина Данилина Тел.: (495) 775-8800, 940-2000 #1771 E-mail: Galina_Danilina@ru.ibm.com 3 мая 2007 г. – Корпорация IBM (NYSE: IBM) сегодня представила революционную технологию Airgap – очередное крупное достижение IBM в области проектирования полупроводниковых кристаллов. Новая технология создана в научно-исследовательских лабораториях IBM, деятельность которых за последние десять лет кардинально изменила ситуацию в ИТ-отрасли благодаря новым материалам и проектировочным принципам, позволяющим создавать более мощные полупроводниковые чипы с уменьшенными размерами и пониженным потреблением энергии. Еще в 1997 г. корпорация IBM – первая в отрасли – внедрила медные проводники вместо алюминиевых, что позволило сразу же снизить электрическое сопротивление на 35% и повысить производительность чипов на 15%. В дальнейшем ученые IBM продолжили свою работу по повышению производительности в соответствии с законом Мура. Среди многочисленных инноваций, созданных в лабораториях IBM за истекшее десятилетие, выделяются следующие десять революционных достижений: 1.Медные проводники (сентябрь 1997 г.) – Многие специалисты по целому ряду причин технического характера считали невозможной замену алюминиевых проводников в полупроводниковых кристаллах медными соединениями. Ученые IBM успешно преодолели все трудности и быстро внедрили медные проводники в производственные процессы, что привело к немедленному росту производительности полупроводниковых чипов. Сегодня эта новаторская технология IBM является фактическим отраслевым стандартом. 2.Технология «кремний на диэлектрике» (август 1998 г.) – Эта технология позволяет эффективно изолировать друг от друга миллионы транзисторов, применяющихся в современных чипах, в результате чего сокращается энергопотребление и повышается производительность. Отрасль работала над данной технологии на протяжении 15 лет, однако только корпорация IBM смогла сделать это реальностью. 3.Технология напряженного кремния (июнь 2001 г.) – Эта технология создает напряжение материала внутри кристалла, в результате чего уменьшается электрическое сопротивление и ускоряется протекание электронов через транзисторы, что, в свою очередь, повышает производительность и уменьшает энергопотребление. 4. Двухядерные процессоры (октябрь 2001 г.) – Первый в мире двухядерный процессор POWER4 был представлен как компонент сервера Regatta – самой мощной системы семейства System p. Должно было пройти более двух лет – вечность в мире высоких технологий – прежде чем конкуренты смогли вывести на рынок свои двухядерные чипы. 5.Иммерсионная литография (декабрь 2004 г.) – Корпорация IBM стала первым в мире поставщиком, применившим эту новаторскую производственную технологию – позволяющую формировать схемные элементы уменьшенного размера – для создания коммерческих процессоров. 6.Замороженный кремний-германиевый чип (июнь 2006 г.) – В 1990-х годах корпорация IBM первой применила кремний-германиевые полупроводники для замены дорогостоящих экзотических материалов, что позволило создавать более дешевые чипы с уменьшенными размерами и увеличенной скоростью работы. Корпорация IBM начала продавать такие чипы и производителям различных беспроводных продуктов, в том числе мобильных телефонов и маршрутизаторов. В прошлом году корпорация IBM снова отодвинула пределы возможного для кремний-германиевых технологий. В содружестве с Технологическим университетом штата Джорджия – и при поддержке НАСА – IBM продемонстрировала первый кремний-германиевый чип, который при охлаждении почти до абсолютного нуля способен функционировать на тактовой частоте 500 ГГц . 7.Диэлектрик с высоким значением k/металлический затвор (январь 2007 г.) – Корпорация IBM объявила о решении одной из самых неприятных проблем, стоящих сегодня перед проектировщиками электронных компонентов – большие токи утечки транзисторов. На основе новых материалов специалисты IBM разрабатывают структуры типа «диэлектрик с высоким значением k/металлический затвор», которые позволят производить продукты с увеличенным быстродействием, уменьшенными размерами и повышенной эффективностью энергопотребления. 8.Память eDRAM (февраль 2007 г.) – Благодаря переходу с памяти типа SRAM на инновационную скоростную память типа eDRAM корпорация IBM сможет более чем в три раза увеличить объем встроенной памяти процессорного чипа и существенно повысить его производительность. 9.Трехмерная компоновка чипов (апрель 2007 г.) – Корпорация IBM объявила о создании т.н. «трехмерных» чипов на основе технологии through-silicon vias (соединения сквозь кремний), которая позволяет дополнить горизонтальную компоновку полупроводниковых элементов их вертикальным пакетированием, в результате чего длина критических внутрисхемных соединений сокращается примерно в тысячу раз. 10.Технология Airgap (май 2007 г.) – С помощью нанотехнологии «самосборки» между километрами проводников внутри процессора Power формируется безвоздушное пространство, в результате чего сокращается нежелательное емкостное сопротивление, и, как результат, повышается производительность и снижается энергопотребление. Примечание Журналисты могут загрузить видеоролик вещательного качества по технологии Airgap на следующей странице http://www.thenewsmarket.com/ibm. Фотографии и дополнительные материалы IBM для прессы можно получить по адресу http://www-03.ibm.com/press/us/en/presskit/21463.wss.
Публикации с ключевыми словами: полупроводниковые технологии Публикации со словами: полупроводниковые технологии Смотри также: |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|