МОЛОДЕЖНЫЙ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ВЕСТНИК

Рассмотрены применения ультразвуковых колебаний в промышленных отраслях. Проанализированы особенности применения процесса ультразвуковой сварки, а также технологические свойства процессов в производстве микроэлектронных изделий. На основе изученных процессов составлены критерии выбора оборудования для ультразвуковой сварки. Изучены основные узлы, входящие в состав оборудования. Описаны требования предъявляемые к рабочему инструменту и рекомендации к его установке для ультразвуковой микросварки, а также требования к состоянию поверхности соединяемых деталей. Описаны методы удаления органических жировых пленок, в качестве примера приведена последовательность операций очистки. Так же рассмотрено влияние процесса деформации а соединяемые поверхности. Показаны параметры, определяющие прочность соединений, полученных ультразвуковой сваркой. Проведен анализ свариваемости различных материалов и выбраны наиболее подходящие для использования в ультразвуковой сварке.

Произведен обзор существующих систем и программных комплексов для расчета надежности электронной аппаратуры. Проведено сравнение их возможностей. Выделены основные достоинства и недостатки рассматриваемых систем расчета надежности.

В данной работе рассматривается проблема моделирования тепловых процессов в современных CАПР; способы и методики, предложенные на современном рынке; отличительные особенности продуктов разных компаний. Дана классификация систем проектирования с выделением критериев разделения. Нерешенной является реализация взаимодействия этих программ. Для решения этой проблемы предложено развитие аппарата экспорта-импорта в другие популярные САПР; создание узкоспециализированных (добавочных) продуктов. Этот подход основан на сочетании сильных сторон продуктов и развитии открытого программирования. Данное решение может найти применение как в небольших группах разработчиков, так и в крупных производственных компаниях.

В данной статье дан обзор пьезоэлектрических резонаторов, представлены основные понятия и определения. Рассмотрена конструкция пьезоэлектрического резонатора и его эквивалентная схема. Представлен принцип его работы. Дана классификация кварцевых резонаторов: рассмотрены их назначения, диапазоны частот и стабильность частоты, жесткость условий эксплуатации, виды колебаний и срезы пьезоэлементов, и конструктивные данные. Приведены технические характеристики отдельных видов кварцевых резонаторов. В заключение статьи сделаны выводы о широком применении кварцевых резонаторов, и представлена итоговая классификация всех рассмотренных типов кварцевых резонаторов.

Рассматриваемый в статье метод морфологического анализа предназначен для получения новых знаний. Автор уделяет особое внимание преимуществам морфологического анализа в процессе обработки знаний. Автор объясняет метод морфологического анализа, описаны способы применения данного метода в задачах изобретательского процесса. Приведено несколько реальных примеров использования метода морфологического анализа. Рассмотрена задача выбора несущей конструкции для электронной аппаратуры, в которой был применен метод морфологического анализа. В итоге был сделан вывод об эффективности метода морфологического анализа. Предложены идеи для наилучшей реализации данного метода с целью повышения эффективности и простоты изобретательского процесса.

Произведен обзор особенностей существующих систем дистанционного питания имплантируемых устройств. Разработан макет установки для исследования особенностей передачи энергии с использованием ближнепольных антенн. Получены зависимости эффективности передачи от основных параметров: расстояния и среды. В заключении представлены рекомендации по созданию действующего прототипа устройства.

Статья посвящена вопросам оптимизации электрофизических параметров МОП-транзисторов с помощью системы TCAD Synopsys. Сложность проблемы заключается в неприемлемой длительности вычислений в системе TCAD Synopsys, необходимых для проведения процесса оптимизации. Рассмотрена методика двухстадийной оптимизации. Проведена оценка решения задачи оптимизации на одномерной модели. Выполнена оптимизация профиля легирования кармана двухмерной модели КНИ n-канального МОП-транзистора. Рассчитаны выходные статические характеристики моделей основного и паразитного транзисторов, выполненных с учетом полученных параметров режимов технологических операций.

В статье рассматриваются вопросы инженерного анализа электронных модулей первого уровня на механические и тепловые воздействия. Исследовано создание электронной модели платы, транслирование в 3D-модель и получение результатов инженерного анализа. Составлен алгоритм модального, теплового анализа печатной платы и расчета ее на прогиб.Проанализированы характеристики и возможности САПР SolidEdgeST6 в качестве программы для инженерного анализа печатных плат. Представлен способ интеграции ECAD и MCAD с помощью формата IDF. Продемонстрирован тепловой анализ для печатной платы в условиях неограниченного пространства и в корпусе. Проведен модальный анализ для двух наиболее распространенных способов закрепления печатной платы.

Исследован способ получения толстопленочного концентратора магнитного поля методом электрохимического осаждения пермаллоя с использованием фоторезистивной маски на металлизированную поверхность кристалла. Получена зависимость толщин пленок пермаллоя от времени электрохимического осаждения.Полученные концентраторы имеют все преимущества, чтобы быть использованными для усиления магнитного поля. Среди таких характеристик низкая коэрцитивная сила и высокая магнитная проницаемость.Применение электрохимического осаждения позволяет получить концентраторы магнитного поля толщиной 8-12 мкм при осаждении пермаллоя на пластины диаметром 100 мм в течение технологического времени со скоростью 100-300 нм/мин.Применение электрохимического осаждения позволяет ускорить процесс мелкосерийного производства концентраторов за счет возможности осадить сплав на большую площадь, занимаемую концентраторами на пластине диаметром 100 мм.Проведено исследование топографии концентраторов магнитного поля в составе пластины.

Работа посвящена вопросам проектирования стенда для измерения параметров фоточувствительных приборов с зарядовой связью. Представлены структурная, функциональная и электрическая принципиальная схемы стенда. Особое внимание уделено заданию тактовых диаграмм для управления ФПЗС. Стенд позволяет регулировать уровни всех статические и динамические сигналов, подаваемых на ФПЗС, а также изменять частоту динамических сигналов, поэтому он является универсальным.

Работа посвящена обзору и исследованию медной технологии металлизации межслойных переходов по методу дамаскирования и двойного дамаскирования. Смысл технологии заключается в нанесении тонкого слоя медного фоторезиста в атмосфере анизотропного травления в межслойном переходе и последующей обработки поверхности. В данной работе проведен обзор и анализ двух самых распространенных методов металлизации межслойных переходов, сравнение их между собой и рассмотрены процессы, происходящие при коммутации слоев. Были поэтапно рассмотрены все технологические переходы в типовых процессах технологии одиночного и двойного дамаскирования, все физические характеристики, влияющие на формирование межслойных переходов, а так же сделаны выводы по соответствующим результатам анализа наиболее распространненых методов металлизации межслойных переходов.

Статья посвящена анализу результатов использования процедуры коррекции эффекта оптической близости и верификации для типовых топологических ситуаций, которые возникают при проектировании СБИС и в дальнейшем могут привести к нежелательным изменениям полученного топологического рисунка. Обоснован выбор метода коррекции эффекта оптической близости, основанного на правилах модификации топологического слоя. Приведено описание процедуры верификации и коррекции топологии. Приведено описание типовых искажений топологических рисунков и типовых элементов коррекции. Проведен сравнительный анализ топологического рисунка до и после введения корректирующих элементов на примере конкретных элементов библиотеки стандартных элементов для проектирования быстродействующих спецстойких КНИ СБИС с минимальным топологическим размеров 0,25 мкм и библиотеки в целом. Сравнительный анализ показал резкое снижение количества искажений топологии.

В работе приведено исследование воздействия специальных факторов на транзисторы, изготовленные по технологии на монолитном кремнии и технологии кремний на изоляторе. Исходя из исследования для обеспечения стойкости к специальным воздействующим факторам целесообразно использовать технологию изготовления КНИ транзисторов Далее приведён анализ существующих типов транзисторов, используемых при построении микросхем по технологии кремний на изоляторе. На основе сравнительного анализа топологических конструкционных решений транзисторов для технологии КНИ была разработана топологическая конструкция модифицированного Н-типа транзистора, обеспечивающих стойкость к специальным воздействующим факторам, для элементов центральной части СБИС.

В статье рассматриваются вопросы разработки лабораторной установки для изучения свойств одноосного силового гиростабилизатора. Приводится описание конструкции гиростабилизатора и функциональных возможностей лабораторного стенда. Также содержится краткий обзор выполненных работ. Особое внимание уделяется методам эмпирического определения параметров гиростабилизатора, необходимых для построения его частотной характеристики: кинетического момента гироскопа, момента инерции платформы с установленным на ней гироскопом и грузом относительно оси стабилизации, момента инерции гироскопа и внутренней рамы вокруг оси рамы и коэффициента усиления обратной связи. 

Рассмотрен литографический процесс формирования контактных окон по технологии с минимальной проектной нормой 0.25 мкм. Проведено исследование разброса линейных размеров, получаемых структур с различной плотностью заполнения площади кристалла СБИС, выполненное с помощью измерительной установки  NanoSEM 3D (CD-SEM). В результате построения и  анализа процессных окон сформулированы рекомендации по режимам экспонирования с целью получения контактных окон оптимальных размеров. На основе анализа режимов экспонирования  сформулированы рекомендации по использованию фигур коррекции в технологическом процессе формирования контактных и переходных окон.

Работа посвящена разработке аппаратно-программного комплекса терморегулирования многофункционального фабрикатора, который предназначен для вывода трехмерных данных в виде реального объекта. Проведен анализ вариантов терморегулирования в системах прототипирования, предложена классификация возможных вариантов. Исследованы модели измерения температуры, а также способы управления ею. Представлена схемотехническая реализация и программное обеспечение устройства. Система управления реализована на базе ядра LinuxCNC. Представлены результаты проведенных экспериментов.

Работа посвящена исследованию электромагнитных волн на основе стенда радиочастотной идентификации. Основой стенда является бесконтактное программируемое устройство радиочастотного опознавания на базе технологии RFID. Произведены исследования влияния экранов на распространение электромагнитных волн, поведение и проницаемость электромагнитных волн, исследования математических методов и средств, позволяющих наглядно продемонстрировать действие радиочастотной идентификации. В результате исследований электромагнитных волн на основе технологии радиочастотной идентификации проведены лабораторные испытания.  Полученные экспериментальные данные проанализированы с данными полученными расчетным путем, которые сведены в учебно-лабораторную работу.

Актуальность разработки высокоэффективных, широкополосных, технологичных и удобных в эксплуатации экранирующих и радиопоглощающих материалов обусловливается высокой потребностью в таких материалах при разработке и усовершенствовании конструкций изделий радиоэлектроники, устройств защиты информации и военной техники. 

Данная статья посвящена описанию усовершенствованного алгоритма цифровой обработки сигналов датчика угла (ДУ) гиростабилизированной платформы (ГСП). Рассматриваются принцип работы исследуемого ДУ на синусно-косинусных вращающихся трансформаторах (СКВТ), а также алгоритм цифровой обработки его сигналов с возможностью дальнейшего отображения на персональном компьютере (ПК).  Детально раскрыт модифицированный алгоритм повышения точности  ДУ на СКВТ, подтвержденный результатами практического эксперимента автора.  Алгоритм обработки информации, предложенный в данной статье, может быть применен при разработке прикладного устройства, построенного на ДУ,  а также для повышения точности ДУ бесплатформенных инерциальных систем (БИНС) перспективных летательных аппаратов (ЛА).

Работа посвящена исследованию работы и взаимодействия двух параллельных пучков плазмы сформированных в протяженном источнике ионов с короткой зоной ускорения, работающие независимо друг от друга. Проведен анализ вариантов регулирования ионно-оптической системы, предложены теоретические возможные варианты. Получены экспериментальные данные подтверждающие правильность теоретических представлений. Исследованы вольт амперные зависимости пучка плазмы, а также способы управления. Испытания проводились на установке ионно-химического травления "Лидер-1". Представлены результаты проведенных экспериментов.