Савельева Екатерина Олеговна

В статье рассмотрены проблемы прогнозирования надежности устройств наногетероструктурной электроники в рамках моделирования электрических характеристик полупроводниковых гетероструктур. Проанализированы основные подходы к моделированию вольт-амперной характеристики гетероструктуры и резонансно-туннельного диода. Рассмотрен подход, в основе которого лежит метод матриц переноса. Проанализирована целесообразность применения подхода на основе метода функций Грина.