МОЛОДЕЖНЫЙ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ВЕСТНИК

Файл статьи: Чистяков М.Г..pdf (766.92Кб)

1.         Конструкторско-технологическое проектирование электронных средств / Под общ. редакцией В.А. Шахнова. – М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2002. – 500 с.

2.         Радиационные эффекты при воздействии тяжелых заряженных частиц на КНИ СБИС и способы их моделирования /С.А. Морозов, С.А. Соколов // Математическое и компьютерное моделирование систем: теоретические и прикладные аспекты: Труды НИИСИ РАН. - М., 2011. – том 1, №2 – С.47-51.

3.         Методы повышения радиационной стойкости интегральных микросхем НПО «ИНТЕГРАЛ», предназначенных для условий работы в космических летательных аппаратах. URL: http://www.155la3.ru/datafiles/1817vf11.pdf (Дата обращения: 23.10.2013г.).

4.          Исследование и моделирование факторов, ограничивающих радиационную стойкость КНИ СБИС /С.И. Волков, А.А. Глушко, С.А. Морозов // Математическое и компьютерное моделирование систем: теоретические и прикладные аспекты: Труды НИИСИ РАН. - М., 2011. – том 1, №1 – С.51-56.

5.         Kerry Bernstein, Norman J. Rohrer  SOI Circuit design concepts – London: Kluwer academic publishers, 2003. – 220p.

6.         Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники: Учебное пособие. – М.: МИФИ, 2008. – 288 с.

7.         James B. Kuo, Ker-Wei Su CMOS VLSI Engineering Silicon-on-Insulator (SOI) – London: Kluwer academic publishers, 1998. – 422p.

8.         Мурога С. Системное проектирование сверхбольших интегральных схем том 1 – М.:Мир, 1985. – 288с.